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鰭式電晶體FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機(jī)，并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術(shù)，并已將開戰(zhàn)時(shí)刻設(shè)定于2014?2015年；同時(shí)也各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，期抗衡英特爾和三星等IDM的規(guī)模優(yōu)勢(shì)，讓整個(gè)晶圓代工市場(chǎng)頓時(shí)硝煙彌漫。

各大晶圓代工業(yè)者FinFET發(fā)展情況

鰭式電晶體(FinFET)技術(shù)可有效控管電晶體閘極漏電流問題，并提高電子移動(dòng)率，因而能大幅提升晶片運(yùn)算效能同時(shí)降低功耗，現(xiàn)已成為全球晶圓廠邁向下一個(gè)制程節(jié)點(diǎn)的唯一途徑。一線大廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米FinFET量產(chǎn)腳步，搶先圈地市場(chǎng)商機(jī)。

14nm 制程 finfet 芯片

其中，IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米后段金屬導(dǎo)線(BEOL)制程的方式達(dá)成試量產(chǎn)目標(biāo)；而臺(tái)積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù)，足見此設(shè)計(jì)方式已成為晶圓廠進(jìn)入FinFET世代的共通策略。