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EPC1014

概述

TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

廠商

EPC

參數(shù)

包裝:帶卷 (TR)可替代的包裝,系列:eGaN®,FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵,FET 功能:邏輯電平門,漏源極電壓 (Vdss):40V,電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）:10A,不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 5A，5V,不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 2mA,不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):3nC @ 5V,不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):280pF @ 20V,功率 - 最大值:-,安裝類型:表面貼裝,封裝/外殼:5-LGA,供應商器件封裝:5-LGA（1.7x1.1）

引腳圖與功能

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工作原理

暫無EPC1014的工作原理信息

替代產(chǎn)品

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PDF資料

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