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NDS351N

概述

MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3

廠商

參數(shù)

包裝:帶卷 (TR),系列:-,FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物,FET 功能:邏輯電平門,漏源極電壓 (Vdss):30V,電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）:1.1A,不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，10V,不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250µA,不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):3.5nC @ 5V,不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):140pF @ 10V,功率 - 最大值:460mW,安裝類型:表面貼裝,封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供應商器件封裝:3-SSOT

引腳圖與功能

暫無NDS351N的引腳圖與功能信息

工作原理

暫無NDS351N的工作原理信息

替代產品

暫無NDS351N的替代產品信息

PDF資料

暫無NDS351N的PDF資料信息

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