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熱門關(guān)鍵詞： LM358 TL431 ULN2003 OP07 STM32F103C8T6

US6M2TR

概述

MOSFET N+P 20V 1.5A/1A TUMT6

廠商

參數(shù)

包裝:帶卷 (TR)可替代的包裝,系列:-,FET 類型:N 和 P 溝道,FET 功能:標(biāo)準(zhǔn),漏源極電壓 (Vdss):30V，20V,電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）:1.5A，1A,不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 1.5A，4.5V,不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA,不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2.2nC @ 4.5V,不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):80pF @ 10V,功率 - 最大值:1W,安裝類型:表面貼裝,封裝/外殼:6-SMD，扁平引線,供應(yīng)商器件封裝:TUMT6

引腳圖與功能

暫無US6M2TR的引腳圖與功能信息

工作原理

暫無US6M2TR的工作原理信息

替代產(chǎn)品

暫無US6M2TR的替代產(chǎn)品信息

PDF資料

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